參數(shù)資料
型號(hào)： STP38N06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式高密度功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式高密度功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 133K
代理商： STP38N06
PSPICEPARAMETERS
SUBCIRCUIT COMPONENTS
Symbol
Parameter
Value
Unit
S1
(V14_16<0) (See Power Mosfet Model Subcircuit)
ON
S2
(V16_11<0) (See Power Mosfet Model Subcircuit)
ON
LD
Drain Inductance
8
nH
LG
Gate Inductance
10
nH
LS
Source Inductance
10
nH
RDRAIN
Drain Resistance
1.9E
-2
RGATE
Gate Resistance
1
CGD
Gate Drain Capacitance
3.92
nF
CGS
Gate Source Capacitance
1.9
1E
-3
nF
V
-1
ALFA
Drift Coeficient
RGN
Negative Bias Resistance
10
K
DIODE DRAIN GATE (Depletion Capacitance)
Symbol
Parameter
Value
Unit
CJO
Zero Bias p-n Capacitance
2.6
nF
VJ
p-n Potential
0.1
V
M
p-n Grading Coefficient
0.6
DIODE DRAIN SOURCE
Symbol
Parameter
Value
Unit
CJO
Zero Bias p-n Capacitance
7.8
nF
VJ
p-n Potential
0.1
V
M
p-n Grading Coefficient
0.6
TT
Transit Time
20
nsec
N MOSFET
Symbol
Parameter
Value
Unit
L
Channel Length
1
μ
Meter
μ
Meter
W
Channel Width
1
LEVEL
Model Index
3
TOX
Oxide Thickness
1
Meter
VTO
Zero Bias Threshold Voltage
3.25
V
U0
Surface Mobility
600
cm
2
/VS
V
-1
THETA
Mobility Modulation
0.005
Vmax
Maximum Drift Velocity
0
Meter/sec
Amp/V
2
KP
Trans Conductance Coefficient
For Transient SimulationApplicate U.I.C. (Use Initial Condition) Option
28
STP38N06
8/11
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PDF描述
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參數(shù)描述
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STP3N100 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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