參數(shù)資料
型號: STP36NF06FP
廠商: 意法半導體
英文描述: N-CHANNEL 60V - 0.032 - 30A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
中文描述: N溝道60V的- 0.032 - 30A條TO-220/TO-220FP STripFET二功率MOSFET
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大?。?/td> 201K
代理商: STP36NF06FP
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
Fig. 4:
Gate Charge Test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Reverse Recovery Time
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
STP36N06/FI
7/10
相關PDF資料
PDF描述
STP36N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP36NE06FP N-Channel 60V-0.032Ω-36A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP36NE06 N-Channel 60V-0.032Ω-36A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP38N06 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(N溝道增強模式高密度功率MOSFET)
STP3NC60FP N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP36NF06L 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP38N06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR
STP38N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP3HNK90Z 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 3.0Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP3LN62K3 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube