參數(shù)資料
型號(hào)： STP36N06FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大小： 201K
代理商： STP36N06FI
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
B
2.5
2.7
0.098
0.106
D
2.5
2.75
0.098
0.108
E
0.4
0.7
0.015
0.027
F
0.75
1
0.030
0.039
F1
1.15
1.7
0.045
0.067
F2
1.15
1.7
0.045
0.067
G
4.95
5.2
0.195
0.204
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
H
10
10.4
0.393
0.409
L2
16
0.630
L3
28.6
30.6
1.126
1.204
L4
9.8
10.6
0.385
0.417
L6
15.9
16.4
0.626
0.645
L7
9
9.3
0.354
0.366
3
3.2
0.118
0.126
L2
A
B
D
E
H
G
L6
F
L3
G
1 2 3
F
F
L7
L4
ISOWATT220 MECHANICAL DATA
P011G
STP36N06/FI
9/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP36NE06FP N-Channel 60V-0.032Ω-36A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP36NE06 N-Channel 60V-0.032Ω-36A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP38N06 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式高密度功率MOSFET)
STP3NC60FP N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
STP3NC60 N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
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參數(shù)描述
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STP36N60M6 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M6 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.75V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:44.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1960pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:208W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP36NE06 功能描述:MOSFET RO 511-STP36NF06 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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