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參數(shù)資料
| 型號： | STP25NM60N |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
| 中文描述： | N溝道600V的0.140 - 20A型TO-220/FP/DAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | STP25NM60N |
STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW25NM60N | N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
| STB30NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STB3015LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| STB30NE06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| STB30NF10T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP25NM60N_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET |
| STP25NM60ND | 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP260N4F7 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:235W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 60A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 |
| STP260N6F6 | 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP265N6F6AG | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.85 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:183nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
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