參數(shù)資料
型號(hào)： STP25NM50N
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
中文描述： N溝道500V0.11Ω的- 22甲TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh
文件頁數(shù)： 9/16頁
文件大小： 678K
代理商： STP25NM50N
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STB25NM50N/-1 - STW25NM50N - STP25NM50N - STF25NM50N
TAPE AND REEL SHIPMENT
D
2
PAK FOOTPRINT
* on sales type
DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
330
MIN.
MAX.
12.992
A
B
C
D
G
N
T
1.5
12.8
20.2
24.4
100
0.059
0.504
0795
0.960
3.937
13.2
0.520
26.4
1.039
30.4
1.197
BASE QTY
1000
BULK QTY
1000
REEL MECHANICAL DATA
DIM.
mm
inch
MIN.
10.5
15.7
1.5
1.59
1.65
11.4
4.8
3.9
11.9
1.9
50
0.25
23.7
MAX.
10.7
15.9
1.6
1.61
1.85
11.6
5.0
4.1
12.1
2.1
MIN.
0.413
0.618
0.059
0.062
0.065
0.449
0.189
0.153
0.468
0.075
1.574
0.0098 0.0137
0.933
MAX.
0.421
0.626
0.063
0.063
0.073
0.456
0.197
0.161
0.476
0.082
A0
B0
D
D1
E
F
K0
P0
P1
P2
R
T
W
0.35
24.3
0.956
TAPE MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW25NM50N N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB25NM50N-1 N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STP30N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STP30NE06L N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP25NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP25NM60N_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STP25NM60ND 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP260N4F7 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:235W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 60A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP260N6F6 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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