參數(shù)資料
型號： STP25NM50N
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
中文描述： N溝道500V0.11Ω的- 22甲TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh
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代理商： STP25NM50N
STP25NM50N - STF25NM50N - STB25NM50N/-1 - STW25NM50N
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Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
( )
Pulse width limited by safe operating area
(1) I
SD
≤
22 A, di/dt
≤
400 A/μs, V
DD
=80%
V
(BR)DSS
.
(*) Limited only by maximum temperature allowed
Table 4: Thermal Data
Table 5: Avalanche Characteristics
Symbol
I
AS
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
Parameter
Value
Unit
TO-220/D2PAK/I
2
PAK/
TO-247
TO-220FP
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
TOT
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
500
V
500
V
Gate- source Voltage
±25
V
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
22
22(*)
A
14
14 (*)
A
Drain Current (pulsed)
88
88 (*)
A
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
160
40
W
1.28
0.32
W/°C
V/ns
dv/dt(1)
T
stg
T
j
15
Storage Temperature
–55 to 150
°C
Max. Operating Junction Temperature
150
°C
TO-220/D2PAK/I
2
PAK/
TO-247
0.78
TO-220FP
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Maximum Lead Temperature For Soldering
Purpose
3.1
°C/W
°C/W
62.5
300
°C
Parameter
Max Value
10
Unit
A
350
mJ
相關PDF資料
PDF描述
STW25NM50N N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB25NM50N-1 N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STP30N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP30NE06L N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP25NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP25NM60N_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STP25NM60ND 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP260N4F7 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:235W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 60A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50
STP260N6F6 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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