參數(shù)資料
型號(hào)： STP25NM50N
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
中文描述： N溝道500V0.11Ω的- 22甲TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh
文件頁數(shù)： 1/16頁
文件大小： 678K
代理商： STP25NM50N
1/16
October 2005
STP25NM50N - STF25NM50N
STB25NM50N/-1 - STW25NM50N
N-CHANNEL 500V 0.11
- 22 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247
SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
Table 1: General Features
■
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
■
100% AVALANCHE TESTED
■
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE
CHARGE
■
LOW GATE INPUT RESISTANCE
DESCRIPTION
The
STx25NM50N
is realized with the second
generation of MDmesh Technology. This revolu-
tionary MOSFET associates a new vertical struc-
ture to the Company's strip layout to yield one of
the world's lowest on-resistance and gate charge.
It is therefore suitable for the most demanding high
efficiency converters
APPLICATIONS
The MDmesh II family is very suitable for in-
creasing power density of high voltage converters
allowing system miniaturization and higher effi-
ciencies.
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
DSS
(@Tj
MAX
)
I
D
R
DS(on)
STB25NM50N-1
STF25NM50N
STP25NM50N
STW25NM50N
STB25NM50N
550V
550V
550V
550V
550V
22 A
22 A(*)
22 A
22 A
22 A
0.140
0.140
0.140
0.140
0.140
1
2
3
1
2
3
TO-220
TO-247
123
I2PAK
1
2
3
TO-220FP
1
3
D2PAK
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STP25NM50N
P25NM50N
TO-220
TUBE
STF25NM50N
F25NM50N
TO-220FP
TUBE
STB25NM50N-1
B25NM50N
I2PAK
TUBE
STW25NM50N
W25NM50N
TO-247
TUBE
STB25NM50N
B25NM50N
D2PAK
TAPE & REEL
Rev. 9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW25NM50N N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB25NM50N-1 N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STP30N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STP30NE06L N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP25NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP25NM60N_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STP25NM60ND 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP260N4F7 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:235W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 60A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP260N6F6 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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