型號: | STB25NM50N-1 |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
中文描述: | N溝道500V0.11Ω的- 22甲TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh |
文件頁數(shù): | 1/16頁 |
文件大?。?/td> | 678K |
代理商: | STB25NM50N-1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STP30N06FI | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET) |
STP30NE06L | N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET |
STP30NE06LFP | N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET |
STP32N05L | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
STP32N05LFI | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STB25NM60N | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB25NM60N-1 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL MFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB25NM60ND | 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB25NM60NT4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
STB25NM60NX | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 |