參數(shù)資料
型號： STP24NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 24A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
中文描述： ? - 100V的通道- 0.07ohm - 24A至- 220低柵極電荷STripFET功率MOSFET
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代理商： STP24NF10
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
1.87
62.5
300
o
C/W
o
C/W
o
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
100
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
20 V
T
c
=125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
V
GS
= 10 V
I
D
= 12 A
0.07
0.077
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
24
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=12 A
20
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
870
125
52
pF
pF
pF
STP24NF10
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP25N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP25NM50N N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW25NM50N N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB25NM50N-1 N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STP30N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP24NF10 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
STP24NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP24NM65N 功能描述:MOSFET N-channel 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP25N05 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220
STP25N05FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220VAR
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