參數(shù)資料
型號： STP20N06FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： STP20N06FI
DIM.
mm
TYP.
inch
TYP.
MIN.
4.40
1.23
2.40
MAX.
4.60
1.32
2.72
MIN.
0.173
0.048
0.094
MAX.
0.181
0.051
0.107
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
1.27
0.050
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
16.4
0.645
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
L6
A
C
D
E
D
F
G
L7
L2
Dia.
F
L5
L4
H
L9
F
G
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
STP20N06/FI
8/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP20NE06FP N-Channel 60V-0.07Ω-20A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP20NE06L N-Channel 60V-0.07Ω-20A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP20NE06LFP N-Channel 60V-0.07Ω-20A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP20NK50Z Thick Film Resistor Network; Series:RNA4A; Resistance:15kohm; Resistance Tolerance:+/- 5 %; Power Rating:0.063W; Voltage Rating:25V; Temperature Coefficient:+/-250 ppm; Package/Case:10-SOIC; Network Circuit Type:Dual Termination
STP24NF10 N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 24A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP20N10FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
STP20N10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP20N10LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP20N20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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