參數(shù)資料
型號： STP19N06FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 7/10頁
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代理商： STP19N06FI
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
Fig. 4:
Gate Charge Test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Reverse Recovery Time
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
STP19N06/FI
7/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP19N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP19N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
STP19N06LFI N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
STP200NF03 N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB200NF04 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP19N06L 功能描述:MOSFET REORD 511-STP20NE06L TO-220 N-CH 60V 19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP19N06LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP19NB20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP19NB20FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
STP19NB20FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220FP
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