參數(shù)資料
型號： STP19N06FI
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/10頁
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代理商： STP19N06FI
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 48 V
R
G
= 47
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 48 V
I
D
= 9.5 A
V
GS
= 10 V
30
90
42
120
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 19 A
V
GS
= 10 V
170
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 19 A
V
GS
= 10 V
23
10
8
30
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 48 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 19 A
V
GS
= 10 V
14
20
40
20
28
56
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
19
76
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 19 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 19 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, figure 5)
60
0.16
5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Areas For TO-220
Safe Operating Areas For ISOWATT220
STP19N06/FI
3/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP19N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP19N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
STP19N06LFI N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
STP200NF03 N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB200NF04 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP19N06L 功能描述:MOSFET REORD 511-STP20NE06L TO-220 N-CH 60V 19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP19N06LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP19NB20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP19NB20FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
STP19NB20FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220FP
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