參數(shù)資料
型號： STP19N06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式的低閾值功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 1/7頁
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代理商： STP19N06L
STP19N06L
STP19N06LFI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.085
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
REGULATORS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
TYPE
V
DSS
60 V
60 V
R
DS(on)
< 0.1
< 0.1
I
D
STP19N06L
STP19N06LFI
19 A
13 A
1
2
3
TO-220 ISOWATT220
February 1995
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STP19N06L
STP19N06LFI
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
60
V
V
DGR
60
±
15
V
V
GS
V
I
D
19
13
A
I
D
13
9
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
76
76
A
80
35
W
Derating Factor
0.53
0.23
W/
o
C
V
ISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
2000
V
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
175
1
2
3
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP19N06LFI N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
STP200NF03 N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB200NF04 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STB200NF04-1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STB200NF04T4 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP19N06LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP19NB20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP19NB20FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
STP19NB20FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220FP
STP19NF20 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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