參數(shù)資料
型號(hào)： STB200NF04T4
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大小： 557K
代理商： STB200NF04T4
1/14
AUTOMOTIVE SPECIFIC
October 2002
STP200NF03
STB200NF03 STB200NF03-1
N-CHANNEL 30V - 0.0032
- 120A D
2
PAK/I
2
PAK/TO-220
STripFET II POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.0032
I
STANDARD THRESHOLD DRIVE
I
100% AVALANCHE TESTED
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size"
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance, rugged avalanche characteristics and
less
critical
alignment
remarkable manufacturing reproducibility.
steps
therefore
a
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STB200NF03/-1
STP200NF03
30 V
30 V
<0.0036
<0.0036
120 A
(**)
120 A
(**)
1
2
3
1
3
123
TO-220
D
2
PAK
TO-263
I
2
PAK
TO-262
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
Ordering Information
SALES TYPE
STB200NF03T4
STP200NF03
STB200NF03-1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
(**)
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt
(1)
Peak Diode Recovery voltage slope
E
AS (2)
Single Pulse Avalanche Energy
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
(**) Current Limited by Package
(1) I
≤
120A, di/dt
≤
400A/μs, V
≤
V
, T
j
≤
T
JMAX
(2) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 60 A, V
DD
= 25 V
MARKING
B200NF03
P200NF03
B200NF03
PACKAGE
D
2
PAK
TO-220
I
2
PAK
PACKAGING
TAPE & REEL
TUBE
TUBE
Parameter
Value
30
30
± 20
120
120
480
300
2.0
1.5
1.45
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
V/ns
J
-55 to 175
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP200NF04 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STB200NF03T4 PTCE 18C 18#20 SKT RECP
STB200NF03 N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB200NF03-1 N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STP20N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB-200S 制造商:HellermannTyton 功能描述:
STB20100CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:300μA @ 100V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB20100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 20A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB2014 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days
STB20150CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150μA @ 150V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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