參數(shù)資料
型號(hào)： STB200NF03T4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： PTCE 18C 18#20 SKT RECP
中文描述： N溝道30V的- 0.0032歐姆- 120A條?巴基斯坦/我PAK/TO-220 STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大?。?/td> 557K
代理商： STB200NF03T4
1/14
AUTOMOTIVE SPECIFIC
October 2002
STP200NF03
STB200NF03 STB200NF03-1
N-CHANNEL 30V - 0.0032
- 120A D
2
PAK/I
2
PAK/TO-220
STripFET II POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.0032
I
STANDARD THRESHOLD DRIVE
I
100% AVALANCHE TESTED
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size"
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance, rugged avalanche characteristics and
less
critical
alignment
remarkable manufacturing reproducibility.
steps
therefore
a
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STB200NF03/-1
STP200NF03
30 V
30 V
<0.0036
<0.0036
120 A
(**)
120 A
(**)
1
2
3
1
3
123
TO-220
D
2
PAK
TO-263
I
2
PAK
TO-262
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
Ordering Information
SALES TYPE
STB200NF03T4
STP200NF03
STB200NF03-1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
(**)
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt
(1)
Peak Diode Recovery voltage slope
E
AS (2)
Single Pulse Avalanche Energy
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
(**) Current Limited by Package
(1) I
≤
120A, di/dt
≤
400A/μs, V
≤
V
, T
j
≤
T
JMAX
(2) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 60 A, V
DD
= 25 V
MARKING
B200NF03
P200NF03
B200NF03
PACKAGE
D
2
PAK
TO-220
I
2
PAK
PACKAGING
TAPE & REEL
TUBE
TUBE
Parameter
Value
30
30
± 20
120
120
480
300
2.0
1.5
1.45
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
V/ns
J
-55 to 175
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB200NF03 N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB200NF03-1 N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STP20N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STP20NE06FP N-Channel 60V-0.07Ω-20A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP20NE06L N-Channel 60V-0.07Ω-20A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB200NF04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mOHM TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFET
STB200NF04-1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STB200NF04L 功能描述:MOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB200NF04L-1 功能描述:MOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB200NF04T4 功能描述:MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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