參數(shù)資料
型號： STB200NF04T4
廠商： 意法半導體
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大小： 557K
代理商： STB200NF04T4
STB200NF03/-1 STP200NF03
4/14
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP200NF04 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STB200NF03T4 PTCE 18C 18#20 SKT RECP
STB200NF03 N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB200NF03-1 N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STP20N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB-200S 制造商:HellermannTyton 功能描述:
STB20100CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 100V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB20100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1
STB2014 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days
STB20150CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 150V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
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