參數(shù)資料
型號： STM8L162R8T6
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 8-BIT, FLASH, 16 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64
封裝： 10 X 10 MM, LQFP-64
文件頁數(shù)： 99/116頁
文件大?。?/td> 1229K
代理商： STM8L162R8T6
STM8L162R8, STM8L162M8
Electrical parameters
Doc ID 17959 Rev 1
Internal clock sources
Subject to general operating conditions for VDD, and TA.
High speed internal RC oscillator (HSI)
Figure 11. Typical HSI frequency vs VDD
Table 32.
HSI oscillator characteristics
Symbol
Parameter
Conditions(1)
Min
Typ
Max
Unit
fHSI
Frequency
VDD = 3.0 V
16
MHz
ACCHSI
(2)
Accuracy of HSI
oscillator (factory
calibrated)
VDD = 3.0 V, TA = 25 °C
-1
1
%
VDD = 3.0 V, 0 °C ≤TA ≤ 55 °C
-1.5
1.5
%
VDD = 3.0 V, -10 °C ≤TA ≤ 70 °C
-2
2
%
VDD = 3.0 V, -10 °C ≤TA ≤ 85 °C
-2.5
2
%
VDD = 3.0 V, -10 °C ≤TA ≤ 125 °C
-4.5
2
%
1.65 V
≤VDD ≤ 3.6 V,
-40 °C
≤TA ≤ 125 °C
-4.5
3
%
TRIM(2)
HSI user trim
resolution
1.65 V
≤VDD ≤ 3.6 V,
-40 °C
≤TA ≤ 125 °C
±0.4 (2)
±0.5(2)
%
tsu(HSI)
(3)
HSI oscillator setup
time (wakeup time)
3.7
7.4
s
IDD(HSI)
HSI oscillator power
consumption
100
140
A
1.
VDD = 3.0 V, TA = -40 to 125 °C unless otherwise specified.
2.
Based on characterization, not tested in production.
3.
Guaranteed by design, not tested in production
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PDF描述
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