參數(shù)資料
型號(hào)： STGP7NB60MD
英文描述： N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
中文描述： N溝道第7A - 600V的IGBT的TO-220/D2PAK POWERMESH
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大小： 505K
代理商： STGP7NB60MD
9/11
1
STGP7NB60MD - STGB7NB60MD
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.14
1.7
0.044
0.067
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.23
1.36
0.048
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
D1
8
0.315
E
10
10.4
0.393
E1
8.5
0.334
G
4.88
5.28
0.192
0.208
L
15
15.85
0.590
0.625
L2
1.27
1.4
0.050
0.055
L3
1.4
1.75
0.055
0.068
M
2.4
3.2
0.094
0.126
R
0.4
0.015
V2
0o
4o
D
2
PAK MECHANICAL DATA
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB7NB60MDT4 N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGP7NB60 N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
STGP7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
STGP7NB60M N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/DPAK POWERMESH IGBT
STGD7NB60MT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP7NC60H 功能描述:IGBT 晶體管 V-FAST POWERMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP7NC60HD 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP8NC60K 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 600V 0.270 ohm 14A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP8NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGPL6NC60D 功能描述:IGBT 晶體管 600V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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