型號(hào): | STGB7NB60MDT4 |
英文描述: | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT |
中文描述: | N溝道第7A - 600V的IGBT的TO-220/D2PAK POWERMESH |
文件頁數(shù): | 1/11頁 |
文件大?。?/td> | 505K |
代理商: | STGB7NB60MDT4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STGP7NB60 | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT |
STGP7NB60H | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT |
STGP7NB60M | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/DPAK POWERMESH IGBT |
STGD7NB60MT4 | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA |
STH10NK60ZFI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STGB7NC60HD | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 25A D2PAK |
STGB7NC60HDT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGB7NC60HT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 600 V Power Bipolar D2PAK Trans RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGB8NC60K | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT |
STGB8NC60KD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT |