參數(shù)資料
型號： STGD7NB60MT4
英文描述： Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA
中文描述： N溝道第7A - 600V的IGBT的TO-220/DPAK POWERMESH
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大?。?/td> 525K
代理商： STGD7NB60MT4
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June 2003
STGP7NB60M - STGD7NB60M
N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / DPAK
PowerMESH IGBT
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
HIGH FREQUENCY OPERATION
I
CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH
ANTIPARALLEL DIODE
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has de-
signed an advanced family of IGBTs, the Power-
MESH IGBTs, with outstanding perfomances.
The suffix "M" identifies a family optimized to
achieve very low switching switching times for high
frequency applications (<20KHZ)
APPLICATIONS
I
MOTOR CONTROLS
I
SMPS AND PFC AND BOTH HARD SWITCH
AND RESONANT TOPOLOGIES
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
CES
V
CE(sat) (Max)
@25°C
I
C
@100°C
STGP7NB60M
STGD7NB60M
600 V
600 V
< 1.9
V
< 1.9
V
7 A
7 A
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGP7NB60M
GP7NB60M
TO-220
TUBE
STGD7NB60MT4
GD7NB60M
DPAK
TAPE & REEL
TO-220
1
2
3
1
3
DPAK
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH10NK60ZFI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
STB10NK60ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB
STH10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH10NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH10NC60 N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD7NB60S 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60ST4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NC60H 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 25A DPAK
STGD7NC60HT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD8NC60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
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