參數(shù)資料
型號： STGD7NB60MT4
英文描述： Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA
中文描述： N溝道第7A - 600V的IGBT的TO-220/DPAK POWERMESH
文件頁數(shù)： 9/11頁
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代理商： STGD7NB60MT4
9/11
STGP7NB60M - STGD7NB60M
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.20
2.40
0.087
0.094
A1
0.90
1.10
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0.043
A2
0.03
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0.009
B
0.64
0.90
0.025
0.035
B2
5.20
5.40
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C
0.45
0.60
0.018
0.024
C2
0.48
0.60
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0.024
D
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6.20
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0.244
E
6.40
6.60
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G
4.40
4.60
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H
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L2
0.8
0.031
L4
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V2
0
o
8
o
0
o
0
o
P032P_B
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH10NK60ZFI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
STB10NK60ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB
STH10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH10NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH10NC60 N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD7NB60S 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60ST4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NC60H 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 25A DPAK
STGD7NC60HT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD8NC60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
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