參數(shù)資料
型號(hào): STGP7NB60M
英文描述: N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/DPAK POWERMESH IGBT
中文描述: N溝道第7A - 600V的IGBT的TO-220/DPAK POWERMESH
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代理商: STGP7NB60M
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STGP7NB60M - STGD7NB60M
Total Switching Losses vs Collector Current
Total Switching Losses vs Temperature
Total Switching Losses vs Gate Resistance
Gate Charge vs Gate-Emitter Voltage
Capacitance Variations
Normalized Breakdown Voltage vs Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD7NB60MT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA
STH10NK60ZFI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
STB10NK60ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB
STH10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH10NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP7NB60MD 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGP7NC60H 功能描述:IGBT 晶體管 V-FAST POWERMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP7NC60HD 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP8NC60K 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 600V 0.270 ohm 14A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP8NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube