參數(shù)資料
型號： STGP7NB60M
英文描述： N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/DPAK POWERMESH IGBT
中文描述： N溝道第7A - 600V的IGBT的TO-220/DPAK POWERMESH
文件頁數(shù)： 3/11頁
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代理商： STGP7NB60M
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STGP7NB60M - STGD7NB60M
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
ies
C
oes
C
res
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Eon
SWITCHING OFF
Symbol
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by max. junction temperature.
(**)Losses include Also the Tail (Jedec Standardization)
Parameter
Test Conditions
V
CE
= 25 V, Ic = 7 A
V
CE
= 25V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward Transconductance
5
S
Input Capacitance
550
pF
Output Capacitance
85
pF
Reverse Transfer
Capacitance
13
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
= 480V, I
C
= 7 A,
V
GE
= 15V
37
4.2
13
50
nC
nC
nC
Latching Current
V
clamp
= 480 V, V
GE
= 15V
Tj = 125°C , R
G
= 10
28
A
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 480 V, I
C
= 7 A R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V, I
C
= 7 A R
G
=10
V
GE
= 15 V,Tj =125°C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
Rise Time
13
6
ns
ns
Turn-on Current Slope
Turn-on Switching Losses
1000
50
A/μs
μJ
Parameter
Test Conditions
V
cc
= 480 V, I
C
= 7 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Cross-over Time
340
ns
Off Voltage Rise Time
95
ns
Delay Time
155
ns
Fall Time
240
ns
μ
J
μ
J
ns
E
off
(**)
Turn-off Switching Loss
455
E
ts
Total Switching Loss
500
t
c
Cross-over Time
V
cc
= 480 V, I
C
= 7 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
Tj = 125 °C
610
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
Off Voltage Rise Time
215
ns
Delay Time
280
ns
Fall Time
390
ns
μ
J
μ
J
Turn-off Switching Loss
870
E
ts
Total Switching Loss
920
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD7NB60MT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA
STH10NK60ZFI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
STB10NK60ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB
STH10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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STGP7NC60HD 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP8NC60K 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 600V 0.270 ohm 14A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP8NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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