參數(shù)資料
型號： STGP3NB60MD
英文描述： N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
中文描述： N溝道600V的IGBT的第3A TO-220/D2PAK POWERMESH
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 585K
代理商： STGP3NB60MD
3/12
STGP3NB60HD - STGP3NB60HDFP - STGB3NB60HD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
DYNAMIC
Symbol
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
SWITCHING OFF
Symbol
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by max. junction temperature.
(**)Losses include Also the Tail (Jedec Standardization)
COLLECTOR-EMITTER DIODE
Symbol
I
f
I
fm
Forward Current pulsed
V
f
Forward On-Voltage
Parameter
Test Conditions
V
CE
= 25 V
,
I
C
=3 A
V
CE
= 25V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
ies
C
oes
C
res
Forward Transconductance
2.4
S
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
235
33
6.6
pF
pF
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
= 480V, I
C
= 3 A,
V
GE
= 15V
21
6
7.6
27
nC
nC
nC
Latching Current
V
clamp
= 480 V
,
Tj = 125°C
R
G
= 10
12
A
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 480 V, I
C
= 3 A
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V, I
C
= 3 A R
G
=10
V
GE
= 15 V,Tj = 125°C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
Rise Time
5
11
ns
ns
(di/dt)
on
Eon
Turn-on Current Slope
Turn-on Switching Losses
400
77
A/μs
μJ
Parameter
Test Conditions
V
cc
= 480 V, I
C
=3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Cross-over Time
76
ns
Off Voltage Rise Time
36
ns
Delay Time
53
ns
Fall Time
77
ns
μ
J
μ
J
ns
E
off
(**)
Turn-off Switching Loss
33
E
ts
Total Switching Loss
110
t
c
Cross-over Time
V
cc
= 480 V, I
C
= 3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
Tj = 125 °C
180
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
Off Voltage Rise Time
82
ns
Delay Time
58
ns
Fall Time
110
ns
μ
J
μ
J
Turn-off Switching Loss
88
E
ts
Total Switching Loss
165
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward Current
3
24
A
A
I
f
= 3 A
I
f
= 3 A, Tj = 125 °C
I
f
= 3 A ,V
R
= 35 V,
Tj =125°C, di/dt = 100 A/
μ
s
1.6
1.4
2.0
V
V
t
rr
Q
rr
I
rrm
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
45
70
2.7
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NB60MD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGB7NB60MDT4 N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGP7NB60 N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
STGP7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
STGP7NB60M N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/DPAK POWERMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP3NB60S 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAK PowerMESH⑩ IGBT
STGP3NC120HD 功能描述:IGBT 晶體管 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP40V60F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600 V, 40 A very high speed trench gate field-stop IGBT, TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & Power Bipolar
STGP4M65DF2 功能描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開關(guān)能量:40μJ（開），136μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:15.2nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/86ns 測試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50
STGP5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:56μJ（開），78.5μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:43nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:30ns/140ns 測試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
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