參數(shù)資料
型號： STGP3NB60MD
英文描述： N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
中文描述： N溝道600V的IGBT的第3A TO-220/D2PAK POWERMESH
文件頁數(shù)： 2/12頁
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代理商： STGP3NB60MD
STGP3NB60HD - STGP3NB60HDFP - STGB3NB60HD
2/12
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
( )
Pulse width limited by safe operating area
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
I
CES
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
V
CE
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GE(th)
V
CE(sat)
(#) Calculated according to the iterative formula:
Parameter
Value
Unit
STGP3NB60HD
STGB3NB60HD
STGP3NB60HDFP
V
CES
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
P
TOT
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
600
V
Gate-Emitter Voltage
± 20
V
Collector Current (continuous) at T
C
= 25°C (#)
Collector Current (continuous) at T
C
= 100°C (#)
10
A
6
A
Collector Current (pulsed)
24
A
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
50
25
W
0.4
0.2
W/°C
T
stg
T
j
Storage Temperature
–55 to 150
°C
Operating Junction Temperature
TO-220/D
2
PAK
2.5
TO-220FP
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
5
°C/W
°C/W
62.5
Test Conditions
I
C
= 250 μA, V
GE
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
CE
= Max Rating, T
C
= 25 °C
50
μA
100
μA
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
V
GE
= 15V, I
C
= 3 A
V
GE
= 15V, I
C
= 3 A, Tj =125°C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
5
V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
2.4
2.8
V
1.9
V
I
C
T
C
(
)
T
CESAT MAX
T
C
–
THJ
C
–
)
T
C
I
C
,
(
)
×
R
=
相關PDF資料
PDF描述
STGP7NB60MD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGB7NB60MDT4 N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGP7NB60 N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
STGP7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
STGP7NB60M N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/DPAK POWERMESH IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STGP3NB60S 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAK PowerMESH⑩ IGBT
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STGP40V60F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600 V, 40 A very high speed trench gate field-stop IGBT, TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & Power Bipolar
STGP4M65DF2 功能描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開關能量:40μJ（開），136μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:15.2nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/86ns 測試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50
STGP5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 開關能量:56μJ（開），78.5μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:43nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/140ns 測試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
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