參數(shù)資料
型號(hào)： STGP12NB60H
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 12A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道12A條- 600V到- 220 PowerMESH IGBT的
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： STGP12NB60H
STGP12NB60H
N-CHANNEL 12A - 600V TO-220
PowerMESH
IGBT
PRELIMINARY DATA
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGEDRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGEDROP (V
CESAT
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION
I
OFFLOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based
on a patented strip layout, STMicroelectronics
has designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs,
perfomances. The suffix ”H” identifies a family
optimized to achieve very low switching times for
high frequencyapplications(<120kHz).
with
outstanding
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
SMPSAND PFC IN BOTH HARDSWITCH
AND RESONANTTOPOLOGIES
I
UPS
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1999
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Emitter-Collector Voltage
600
V
20
V
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
±
20
24
V
A
I
C
12
A
I
CM
(
)
P
tot
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
96
A
100
W
0.8
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGP12NB60H
600 V
< 2.8 V
12 A
1
2
3
TO-220
1/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP20NB60H N-Channel 20A-600V- TO-220 PowerMESH IGBT(N溝道絕緣柵雙極晶體管)
STGP20NB60K N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220 PowerMesh IGBT
STGP3NB60HD N-CHANNEL 3A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP3NB60HDFP N-CHANNEL 3A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP3NB60H N-CHANNEL 3A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP12NB60HD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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STGP12NB60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP14N60D 功能描述:IGBT 晶體管 14A 600V SHRT CIR RUGGED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP14NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 PowerMESH" IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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