參數(shù)資料
型號(hào)： STGP20NB60K
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220 PowerMesh IGBT
中文描述： N溝道20A條- 600V的-對(duì)IGBT的220 PowerMesh
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： STGP20NB60K
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PRELIMINARY DATA
June 2000
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
STGP20NB60K
N-CHANNEL 20A - 600V
- TO-220
PowerMesh
IGBT
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
LOW ON-LOSSES
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION
I
SHORT CIRCUIT RATED
I
LATCH CURRENT FREE OPERATION
DESCRIPTION
Using the latest highvoltage technology basedon a
patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs, with outstanding
performances. The suffix “K” identifies a family
optimized for high frequency motor control
applications with short circuit withstand capability.
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
U.P.S.
I
WELDING EQUIPMENTS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGP20NB60K
600 V
< 2.8
V
20 A
Parameter
Value
Unit
600
V
V
ECR
Emitter-Collector Voltage
20
V
V
GE
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuos) at T
C
= 25
°
C
Collector Current (continuos) at T
C
= 100
°
C
±
20
V
I
C
40
A
I
C
20
A
I
CM
(
I
)
Collector Current (pulsed)
80
A
μ
s
W
W/
°
C
°
C
°
C
Tsc
Short Circuit Withstand
10
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
125
1
T
stg
T
j
Storage Temperature
–65 to 150
Max. Operating Junction Temperature
150
TO-220
1
2
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP3NB60HD N-CHANNEL 3A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP3NB60HDFP N-CHANNEL 3A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP3NB60H N-CHANNEL 3A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
STGP3NB60 N-CHANNEL 3A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
STGP3NB60KDFP N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP20V60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB
STGP20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測(cè)試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STGP30H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 60A 150W TO220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & Power Bipolar 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,30A,high speed IGBT
STGP30H60DFB 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關(guān)能量:383μJ（開），293μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:149nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:37ns/146ns 測(cè)試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:53ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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