參數(shù)資料
型號： STGP20NB60H
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel 20A-600V- TO-220 PowerMESH IGBT(N溝道絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： N溝道甲- 600V的到220 PowerMESH IGBT的（不適用溝道絕緣柵雙極晶體管）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： STGP20NB60H
STGP20NB60H
N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220
PowerMESH
IGBT
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGEDRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGEDROP (V
CESAT
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION
I
OFFLOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based
on a patented strip layout, STMicroelectronics
has designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs,
perfomances. The suffix ”H” identifies a family
optimized to achieve very low switching times for
high frequencyapplications(<120kHz).
with
outstanding
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
WELDING EQUIPMENTS
I
SMPSAND PFC IN BOTH HARDSWITCH
AND RESONANTTOPOLOGIES
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Emitter-Collector Voltage
600
V
20
V
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
±
20
40
V
A
I
C
20
A
I
CM
(
)
P
tot
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
160
A
125
W
1.0
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
150
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGP20NB60H
600 V
< 2.8 V
20 A
October 1998
1
2
3
TO-220
1/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP20NB60K N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220 PowerMesh IGBT
STGP3NB60HD N-CHANNEL 3A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP3NB60HDFP N-CHANNEL 3A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP3NB60H N-CHANNEL 3A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
STGP3NB60 N-CHANNEL 3A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP20NB60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220 PowerMesh IGBT
STGP20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP20V60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB
STGP20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
STGP30H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 60A 150W TO220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & Power Bipolar 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,30A,high speed IGBT
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