參數(shù)資料
型號： STGD3NB60F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道3A條- 600V的- IGBT的TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩
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代理商： STGD3NB60F
1/14
June 2003
STGP3NB60F - STGD3NB60F
STGP3NB60FD-STGF3NB60FD-STGB3NB60FD
N-CHANNEL 3A - 600V
- TO-220/TO-220FP/DPAK/D
2
PAK
PowerMESH IGBT
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
HIGH FREQUENCY OPERATION
I
SHORT CIRCUIT RATED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has de-
signed an advanced family of IGBTs, the Power-
MESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix “F” identifies a family optimized to achieve
very low switching times for frequency applications
(<40 KHz)
APPLICATIONS
I
MOTOR CONTROLS
I
SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCHING
AND RESONANT TOPOLOGIES
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
(Typ) @125°C
I
C
@125°C
STGP3NB60F
STGD3NB60F
STGP3NB60FD
STGF3NB60FD
STGB3NB60FD
600 V
600 V
600 V
600 V
600 V
< 2.4
V
< 2.4
V
< 2.4
V
< 2.4
V
< 2.4
V
3 A
3 A
3 A
3 A
3 A
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGP3NB60F
GP3NB60F
TO-220
TUBE
STGD3NB60FT4
GD3NB60F
DPAK
TAPE & REEL
STGP3NB60FD
GP3NB60FD
TO-220
TUBE
STGF3NB60FD
GF3NB60FD
TO-220FP
TUBE
STGB3NB60FDT4
GB3NB60FD
D
2
PAK
TAPE & REEL
TO-220
1
2
3
1
3
1
2
3
1
3
TO-220FP
DPAK
D
2
PAK
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
Std. Version
“D” Version
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGF3NB60FD N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGB3NB60SDT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:100pF; Forward Current:5A; Forward Voltage:12V; Holding Current:100uA; Mounting Type:Surface Mount
STGP3NB60F N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGP3NB60FD N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60FT4 N-CHANNEL 3A - 600V TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD3NB60FT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3.0 A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD3NB60H 功能描述:IGBT 晶體管 N-CH 600V 3A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD3NB60HD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT
STGD3NB60HDT4 功能描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
STGD3NB60HT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6A I(C) | TO-252AA
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