參數資料
型號： STGB3NB60SDT4
廠商： 意法半導體
英文描述： Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:100pF; Forward Current:5A; Forward Voltage:12V; Holding Current:100uA; Mounting Type:Surface Mount
中文描述： N溝道3A條- 600V的IGBT的采用D2PAK POWERMESH
文件頁數： 1/14頁
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代理商： STGB3NB60SDT4
1/14
June 2003
STGP3NB60F - STGD3NB60F
STGP3NB60FD-STGF3NB60FD-STGB3NB60FD
N-CHANNEL 3A - 600V
- TO-220/TO-220FP/DPAK/D
2
PAK
PowerMESH IGBT
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
HIGH FREQUENCY OPERATION
I
SHORT CIRCUIT RATED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has de-
signed an advanced family of IGBTs, the Power-
MESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix “F” identifies a family optimized to achieve
very low switching times for frequency applications
(<40 KHz)
APPLICATIONS
I
MOTOR CONTROLS
I
SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCHING
AND RESONANT TOPOLOGIES
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
(Typ) @125°C
I
C
@125°C
STGP3NB60F
STGD3NB60F
STGP3NB60FD
STGF3NB60FD
STGB3NB60FD
600 V
600 V
600 V
600 V
600 V
< 2.4
V
< 2.4
V
< 2.4
V
< 2.4
V
< 2.4
V
3 A
3 A
3 A
3 A
3 A
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGP3NB60F
GP3NB60F
TO-220
TUBE
STGD3NB60FT4
GD3NB60F
DPAK
TAPE & REEL
STGP3NB60FD
GP3NB60FD
TO-220
TUBE
STGF3NB60FD
GF3NB60FD
TO-220FP
TUBE
STGB3NB60FDT4
GB3NB60FD
D
2
PAK
TAPE & REEL
TO-220
1
2
3
1
3
1
2
3
1
3
TO-220FP
DPAK
D
2
PAK
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
Std. Version
“D” Version
相關PDF資料
PDF描述
STGP3NB60F N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGP3NB60FD N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60FT4 N-CHANNEL 3A - 600V TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH IGBT
STGB3NB60FD N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD7NB60S N-Channel 7A-600V- DPAK PowerMESH IGBT(N溝道絕緣柵雙極晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
STGB3NC120HDT4 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB40H65FB 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:HB 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關能量:498μJ（開），363μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:210nC 25°C 時 Td（開/關）值:40ns/142ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STGB40V60F 功能描述:IGBT 600V 80A 283W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關能量:456μJ（開），411μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:226nC 25°C 時 Td（開/關）值:52ns/208ns 測試條件:400V，40A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STGB4M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開關能量:40μJ（開），136μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:15.2nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/86ns 測試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STGB5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 開關能量:56μJ（開），78.5μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:43nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/140ns 測試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
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