型號(hào): | STGD3NB60FT4 |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N-CHANNEL 3A - 600V TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH IGBT |
中文描述: | N溝道3A條- 600V的IGBT的TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH |
文件頁(yè)數(shù): | 1/14頁(yè) |
文件大?。?/td> | 732K |
代理商: | STGD3NB60FT4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STGB3NB60FD | N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STGD3NB60H | 功能描述:IGBT 晶體管 N-CH 600V 3A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGD3NB60HD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT |
STGD3NB60HDT4 | 功能描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
STGD3NB60HT4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6A I(C) | TO-252AA |
STGD3NB60K | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |