型號: | STGP3NB60F |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
中文描述: | N溝道3A條- 600V的- IGBT的TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ |
文件頁數(shù): | 1/14頁 |
文件大小: | 732K |
代理商: | STGP3NB60F |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STGP3NB60FD | N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
STGD3NB60FT4 | N-CHANNEL 3A - 600V TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH IGBT |
STGB3NB60FD | N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
STGD7NB60S | N-Channel 7A-600V- DPAK PowerMESH IGBT(N溝道絕緣柵雙極晶體管) |
STGP10N60L | N-CHANNEL 10A - 600V TO-220 LOGIC LEVEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STGP3NB60FD | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3.0 A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGP3NB60H | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT |
STGP3NB60HD | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 6 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGP3NB60HDFP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT |
STGP3NB60K | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 6 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |