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參數(shù)資料
| 型號： | STGB3NB60MD |
| 英文描述： | N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT |
| 中文描述： | N溝道600V的IGBT的第3A TO-220/D2PAK POWERMESH |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | STGB3NB60MD |
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STGP3NB60HD - STGP3NB60HDFP - STGB3NB60HD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
DYNAMIC
Symbol
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
SWITCHING OFF
Symbol
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by max. junction temperature.
(**)Losses include Also the Tail (Jedec Standardization)
COLLECTOR-EMITTER DIODE
Symbol
I
f
I
fm
Forward Current pulsed
V
f
Forward On-Voltage
Parameter
Test Conditions
V
CE
= 25 V
,
I
C
=3 A
V
CE
= 25V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
ies
C
oes
C
res
Forward Transconductance
2.4
S
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
235
33
6.6
pF
pF
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
= 480V, I
C
= 3 A,
V
GE
= 15V
21
6
7.6
27
nC
nC
nC
Latching Current
V
clamp
= 480 V
,
Tj = 125°C
R
G
= 10
12
A
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 480 V, I
C
= 3 A
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V, I
C
= 3 A R
G
=10
V
GE
= 15 V,Tj = 125°C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
Rise Time
5
11
ns
ns
(di/dt)
on
Eon
Turn-on Current Slope
Turn-on Switching Losses
400
77
A/μs
μJ
Parameter
Test Conditions
V
cc
= 480 V, I
C
=3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Cross-over Time
76
ns
Off Voltage Rise Time
36
ns
Delay Time
53
ns
Fall Time
77
ns
μ
J
μ
J
ns
E
off
(**)
Turn-off Switching Loss
33
E
ts
Total Switching Loss
110
t
c
Cross-over Time
V
cc
= 480 V, I
C
= 3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
Tj = 125 °C
180
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
Off Voltage Rise Time
82
ns
Delay Time
58
ns
Fall Time
110
ns
μ
J
μ
J
Turn-off Switching Loss
88
E
ts
Total Switching Loss
165
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward Current
3
24
A
A
I
f
= 3 A
I
f
= 3 A, Tj = 125 °C
I
f
= 3 A ,V
R
= 35 V,
Tj =125°C, di/dt = 100 A/
μ
s
1.6
1.4
2.0
V
V
t
rr
Q
rr
I
rrm
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
45
70
2.7
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGB3NB60MDT4 | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:6V; Capacitance:100pF; Holding Current:50mA |
| STGP3NB60MD | N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT |
| STGP7NB60MD | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT |
| STGB7NB60MDT4 | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT |
| STGP7NB60 | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGB3NB60MDT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGB3NB60SD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V D2PAK Power MESH⑩ IGBT |
| STGB3NB60SDT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGB3NC120HDT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGB40H65FB | 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:HB 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關(guān)能量:498μJ（開），363μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:40ns/142ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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