參數(shù)資料
型號: STGB3NB60MD
英文描述: N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
中文描述: N溝道600V的IGBT的第3A TO-220/D2PAK POWERMESH
文件頁數(shù): 10/12頁
文件大小: 585K
代理商: STGB3NB60MD
STGP3NB60HD - STGP3NB60HDFP - STGB3NB60HD
10/12
1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.14
1.7
0.044
0.067
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.23
1.36
0.048
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
D1
8
0.315
E
10
10.4
0.393
E1
8.5
0.334
G
4.88
5.28
0.192
0.208
L
15
15.85
0.590
0.625
L2
1.27
1.4
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L3
1.4
1.75
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M
2.4
3.2
0.094
0.126
R
0.4
0.015
V2
0o
4o
D
2
PAK MECHANICAL DATA
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB3NB60MDT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:6V; Capacitance:100pF; Holding Current:50mA
STGP3NB60MD N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGP7NB60MD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGB7NB60MDT4 N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGP7NB60 N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB3NB60MDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB3NB60SD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V D2PAK Power MESH⑩ IGBT
STGB3NB60SDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB3NC120HDT4 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB40H65FB 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:HB 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2V @ 15V,40A 功率 - 最大值:283W 開關(guān)能量:498μJ(開),363μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:40ns/142ns 測試條件:400V,40A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1