參數(shù)資料
型號: STGB3NB60HDT4
英文描述: Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Current, It av:2.2A; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Capacitance:45pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A
中文描述: N溝道3A條- 600V的IGBT的TO-220/TO-220FP/D2PAK POWERMESH
文件頁數(shù): 8/12頁
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代理商: STGB3NB60HDT4
STGP3NB60HD - STGP3NB60HDFP - STGB3NB60HD
8/12
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.40
0.61
1.15
0.49
15.25
10
2.40
4.95
1.23
6.20
2.40
13
3.50
MAX.
4.60
0.88
1.70
0.70
15.75
10.40
2.70
5.15
1.32
6.60
2.72
14
3.93
MIN.
0.173
0.024
0.045
0.019
0.60
0.393
0.094
0.194
0.048
0.244
0.094
0.511
0.137
MAX.
0.181
0.034
0.066
0.027
0.620
0.409
0.106
0.202
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0.256
0.107
0.551
0.154
A
b
b1
c
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
L20
L30
P
Q
16.40
28.90
0.645
1.137
3.75
2.65
3.85
2.95
0.147
0.104
0.151
0.116
TO-220 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB3NB60MD N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGB3NB60MDT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:6V; Capacitance:100pF; Holding Current:50mA
STGP3NB60MD N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGP7NB60MD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGB7NB60MDT4 N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB3NB60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGB3NB60KD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGB3NB60KDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 6 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB3NB60MD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGB3NB60MDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube