參數(shù)資料
型號(hào)： STG8207
廠商： SamHop Microelectronics Corp.
英文描述： Dual N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor
中文描述： 雙N溝道位置nhancement F型爾德首頁(yè)ffect晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
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代理商： STG8207
with Temperature
Figure 6. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
V
G
g
F
,
V
G
,
B
D
,
D
I
Figure 7. Transconductance Variation
with Drain Current
I
DS
, Drain-Source Current (A)
Figure 9. Gate Charge
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 10. Maximum Safe
Operating Area
V
DS
, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
V
SD
, Body Diode Forward Voltage (V)
Tj, Junction Temperature ( C)
Tj, Junction Temperature ( C)
I
D
,
20
10
0
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
8
10
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
V
DS
=10V
I
D
=5A
T
J
=25 C
50
10
11
0.1
0.03
0.1
1
10
20
50
R
DS
(ON Lmt
10m
100ms
1s
DC
V
GS
=4.5V
Single Pulse
Tc=25 C
4
-50
-25
0
25
50
75
100 125
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
I
D
=250uA
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
STG8207
30
24
18
12
36
0
0
5
10
15
20
25
6
V
DS
=5V
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PDF描述
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