參數(shù)資料
型號： STG8207
廠商： SamHop Microelectronics Corp.
英文描述： Dual N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor
中文描述： 雙N溝道位置nhancement F型爾德首頁ffect晶體管
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 700K
代理商： STG8207
STG8207
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ
Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
BV
DSS
=
V
GS
0V, I
D
=
20
V
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
=
GS
0V
=
1
uA
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
GS
12V,V
DS
0V
=
100
nA
ON CHARACTERISTICS
b
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
V
GS
, I
D
= 250uA
=
0.5
V
Drain-Source On-State Resistance
R
DS(ON)
c
C
2
m ohm
FS
c
17
S
Forward Transconductance
g
V
DS
5V, I
D
5A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C
ISS
C
RSS
C
OSS
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V
DS
=8V, V
GS
= 0V
f =1.0MH
Z
P
F
P
F
P
F
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
t
D(ON)
t
r
t
D(OFF)
t
f
V
DD
= 10V
I
D
= 1A
V
GEN
= 4.5V
R
L
= 10
ohm
R
GEN
= 10
ohm
ns
ns
ns
ns
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=10V, I
D
= 5A
V
GS
=4.5V
nC
nC
nC
Fall Time
=
V
GS
2.5V, I
D
3A
=
=
m ohm
24
V
GS
4.5V, I
D
5A
=
=
16
1800
400
320
58.5
16
110.5
45.8
27
3.8
7.8
1.5
12
20
0.8
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PDF描述
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