參數資料
型號： STG8203
廠商： SamHop Microelectronics Corp.
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強型場效應晶體管
文件頁數： 1/7頁
文件大?。?/td> 742K
代理商： STG8203
20
Surface Mount Package.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
Gate-Source Voltage
V
GS
10
V
Drain Current-Continuous @ T
C
=25 C
-Pulsed
I
D
5
25
2
1.5
A
A
A
W
I
DM
Drain-Source Diode Forward Current
I
S
Maximum Power Dissipation
P
D
Operating Junction and Storage
Temperature Range
T
J
, T
STG
-55 to 150
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
JA
85
/W
C
a
a
a
b
Jun.06 2005 ver1.2
1
PRODUCT SUMMARY
V
DSS
I
D
R
DS(ON) ( m
) Max
20V
5 A
FEATURES
Super high dense cell design for low R
DS(ON
).
Rugged and reliable.
27 @ V
GS
= 4.0V
(TOP VIEW)
TSSOP
1
2
3
4
42 @ V
GS
= 2.5V
STG8203
G2
S1
G1
D1
D2
S2
8
7
6
5
( 4 )
( 2,3 )
( 1 )
( 5 )
( 6,7 )
( 8 )
SamHop Microelectronics Corp.
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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PDF描述
STGB10NB37LZ N-Channel Clamped 10A-D2PAK Internally Clamped PowerMESHTM IGBT(N溝道絕緣柵雙極晶體管)
STGB3NB60FDT4 SIDACTOR,6V,SM,DO-214AA
STGD3NB60F N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGF3NB60FD N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGB3NB60SDT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:100pF; Forward Current:5A; Forward Voltage:12V; Holding Current:100uA; Mounting Type:Surface Mount
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