參數(shù)資料
型號(hào): STFLWARP20PL
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: AB 7C 7#16S PIN RECP
中文描述: 自適應(yīng)模糊建模工具
文件頁(yè)數(shù): 11/28頁(yè)
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代理商: STFLWARP20PL
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Figure11. DetailedBlock Diagram
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W.A.R.P.2.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STG8207 Dual N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor
STGB20NB41LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB20NB41LZT4 N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGD6NC60HD N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD6NC60HDT4 N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STFN 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.039W - 4A SOT23-6L STripFET II POWER MOSFET
STFN42 功能描述:TRANSISTOR PLANAR BIPO SOT-89 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
STFPC311 功能描述:MOSFET Advanced Logic RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STFPC311BTR 功能描述:VFD驅(qū)動(dòng)器 Fully integrated GPS LNA IC RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 工作電源電壓:8 V to 76 V, 3 V to 5.5 V 電源電流:0.9 mA, 700 uA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOIC-20 封裝:Tube
STFPC320 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:Front panel controller/driver with standby power management and real-time clock