參數(shù)資料
型號(hào)： STF25NM60N
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
中文描述： N溝道600V的0.140 - 20A型TO-220/FP/DAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 273K
代理商： STF25NM60N
3/12
STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)
Table 7: Dynamic
Symbol
Parameter
g
fs
(1)
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
C
OSS eq
(3)
.
Equivalent Output
Capacitance
R
G
Gate Input Resistance
Table 8: Source Drain Diode
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
Source-drain Current (pulsed)
V
SD
(1)
Forward On Voltage
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
(1) Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(2) Pulse width limited by safe operating area.
(3) C
oss eq.
is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C
oss
when V
DS
increases from 0 to 80% V
DSS
.
Test Conditions
V
DS
= 15V
,
I
D
= 10A
V
DS
= 25 V, f = 1 MHz,
V
GS
= 0
Min.
Typ.
17
Max.
Unit
S
Input Capacitance
Output Capacitance
2565
511
77
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0 to 480 V
TBD
pF
f=1 MHz Gate DC Bias = 0
Test Signal Level = 20mV
Open Drain
V
DD
= 300 V, I
D
= 10 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
(see Figure 4)
2
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off-Delay Time
Fall Time
TBD
TBD
TBD
TBD
ns
ns
ns
ns
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 480 V, I
D
= 20 A,
V
GS
= 10 V
(see Figure 7)
93
TBD
TBD
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
20
80
Unit
A
A
Source-drain Current
I
SD
= 20 A, V
GS
= 0
I
SD
= 25 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 100V
(see Figure 5)
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
TBD
TBD
TBD
ns
μC
A
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SD
= 25 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 100V, T
j
= 150
°
C
(see Figure 5)
TBD
TBD
TBD
ns
μC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB30NF10 N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB3015LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB30NE06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STF25NM60ND 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STF26N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STF26NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V 20 A Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STF26NM60ND 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
STF26NM60N-H 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*