參數資料
型號： STD2NB60T4
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 3.3OHM - 2.6A的電流的DPAK /像是iPak PowerMESHTM MOSFET的
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代理商： STD2NB60T4
STD2NB60/STD2NB60-1
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Table 11. Source Drain Diode
Symbol
Note: 1. Pulse width limited by safe operating area
2. Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Figure 3. Safe Operating Area
Figure 4. Thermal Impedance
Figure 5. Output Characteristics
Figure 6. Transfer Characteristics
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
Source-drain Current
3.3
A
I
SDM (1)
Source-drain Current
(pulsed)
13.2
A
V
SD
(2)
Forward On Voltage
I
SD
= 3.3 A; V
GS
= 0
1.6
V
t
rr
Reverse Recovery Time
I
SD
= 3.3 A; di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V; T
j
= 150 °C
(see test circuit, Figure 18)
500
ns
Q
rr
Reverse RecoveryCharge
2.1
μ
C
I
RRAM
Reverse RecoveryCharge
8.5
A
相關PDF資料
PDF描述
STD30NE06L N-Channel 60V-0.025Ω-30A-DPAK STripFETTM ” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD30NF03LT N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03LTT4 N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03L Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Low ESR; Voltage Rating:6.3VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:100uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:100mohm; Operating Temp. Max:125 C RoHS Compliant: Yes
STD35NF06T4 Progress in Power Switching(電源開關改進)
相關代理商/技術參數
參數描述
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