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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STD20NF20 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-channel 200V - 0.10ヘ -18A- DPAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET |
| 中文描述： | N溝道200伏- 0.10ヘ- 18A條，DPAK/TO-220/TO-220FP低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/16頁(yè) |
| 文件大小： | 493K |
| 代理商： | STD20NF20 |
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STD20NF20 - STF20NF20 - STP20NF20
Electrical characteristics
5/16
Table 6.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM(1)
1.
Pulse width limited by safe operating area.
Source-drain current
Source-drain current
(pulsed)
18
72
A
A
V
SD(2)
2.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5%.
Forward on voltage
I
SD
= 20 A, V
GS
= 0
1.6
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 20 A, di/dt = 100A/μs
V
DD
= 50V, T
j
= 25°C
(see Figure 19)
155
775
10
ns
nC
A
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 20 A, di/dt = 100A/μs
V
DD
= 50V, T
j
= 150°C
(see Figure 19)
183
1061
11.6
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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