參數(shù)資料
型號： STD100NH02L-1
廠商： 意法半導體
英文描述： N-channel 24V - 0.0042ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM II Power MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0042ohm -第60A條-的DPAK -像是iPak STripFET商標二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/16頁
文件大小： 455K
代理商： STD100NH02L-1
Test circuit
STD100NH02L
8/16
3
Test circuit
Figure 13. Switching times test circuit for
resistive load
Figure 14. Gate charge test circuit
Figure 15. Test circuit for inductive load
switching and diode recovery times
Figure 16. Unclamped Inductive load test
circuit
Figure 17. Unclamped inductive waveform
相關PDF資料
PDF描述
STD110NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0044 ohm - 80A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STD12N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
STD12NE06L N-Channel 60V-0.09Ω-12A- DPAK SINGLE FEATURE SIZETM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD15N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
STD16NE06L-1 N-Channel 60V-0.07Ω-16A- TO-251 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STD100NH02LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD100NH03L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD100NH03L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD100NH03LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD-101 功能描述:電線鑒定 3/8IN WIRE MRKR TAG Refill 18-10awg RoHS:否 制造商:TE Connectivity / Q-Cees 產(chǎn)品:Labels and Signs 類型: 材料:Vinyl 顏色:Blue 寬度:0.625 in 長度:1 in
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