參數(shù)資料
型號(hào)： STD100NH02L-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 24V - 0.0042ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM II Power MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0042ohm -第60A條-的DPAK -像是iPak STripFET商標(biāo)二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/16頁(yè)
文件大小： 455K
代理商： STD100NH02L-1
Electrical characteristics
STD100NH02L
4/16
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25°C unless otherwise specified)
Table 3.
On/off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
I
D
= 25mA, V
GS
= 0
24
V
I
DSS
Zero gate voltage drain
current (V
GS
= 0)
V
DS
= 20
V
DS
= 20, T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate body leakage current
(V
DS
= 0)
V
GS
= ±20V
±100
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
1
1.8
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 30A
V
GS
= 5V, I
D
= 15A
0.0042
0.005
0.0048
0.009
Table 4.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (1)
1.
Pulsed: pulse duration=300μs, duty cycle 1.5%
Q
oss =
C
oss
*
V
in ,
C
oss =
C
gd +
C
ds .
See
Chapter Appendix A
Gate charge for synchronous operation
Forward transconductance
V
DS
= 10 V
,
I
D
= 30A
50
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
= 15V, f = 1 MHz,
V
GS
= 0
3940
1020
110
pF
pF
pF
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss(2)
Q
gls(3)
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
V
DD
= 10V, I
D
= 30A
V
GS
= 10V
62
12
8
84
nC
nC
nC
2.
Output charge
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
24
nC
3.
Third-quadrant gate charge
V
DS
< 0V, V
GS
= 10V
56.5
nC
R
G
Gate input resistance
f = 1MHz gate DC Bias = 0
Test signal level = 20mV
Open drain
1.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD110NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0044 ohm - 80A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STD12N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
STD12NE06L N-Channel 60V-0.09Ω-12A- DPAK SINGLE FEATURE SIZETM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD15N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
STD16NE06L-1 N-Channel 60V-0.07Ω-16A- TO-251 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD100NH02LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD100NH03L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD100NH03L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD100NH03LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD-101 功能描述:電線鑒定 3/8IN WIRE MRKR TAG Refill 18-10awg RoHS:否 制造商:TE Connectivity / Q-Cees 產(chǎn)品:Labels and Signs 類(lèi)型: 材料:Vinyl 顏色:Blue 寬度:0.625 in 長(zhǎng)度:1 in
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