參數(shù)資料
型號： STD100NH02L-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 24V - 0.0042ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM II Power MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0042ohm -第60A條-的DPAK -像是iPak STripFET商標(biāo)二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 455K
代理商： STD100NH02L-1
STD100NH02L
Electrical characteristics
5/16
Table 5.
Switching times
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
= 10V, I
D
= 30A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
Figure 13 on page 8
15
200
60
35
47
ns
ns
ns
ns
Table 6.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ.
Max
Unit
I
SD
Source-drain current
60
A
I
SDM
Source-drain current (pulsed)
240
A
V
SD(1)
1.
Pulsed: pulse duration=300μs, duty cycle 1.5%
Forward on voltage
I
SD
= 30A, V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 60A,
di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 15V, T
J
= 150°C
Figure 15 on page 8
47
58
2.5
ns
μC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD110NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0044 ohm - 80A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STD12N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
STD12NE06L N-Channel 60V-0.09Ω-12A- DPAK SINGLE FEATURE SIZETM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD15N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
STD16NE06L-1 N-Channel 60V-0.07Ω-16A- TO-251 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD100NH02LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD100NH03L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD100NH03L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD100NH03LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD-101 功能描述:電線鑒定 3/8IN WIRE MRKR TAG Refill 18-10awg RoHS:否 制造商:TE Connectivity / Q-Cees 產(chǎn)品:Labels and Signs 類型: 材料:Vinyl 顏色:Blue 寬度:0.625 in 長度:1 in
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*