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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STB9NB50 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強(qiáng)模式MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | STB9NB50 |
Fig. 1:
Unclamped InductiveLoad Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
TestCircuit For InductiveLoad Switching
And Diode RecoveryTimes
STB9NB50
6/8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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