- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380761 > STB9NB50 (意法半導(dǎo)體) N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STB9NB50 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強(qiáng)模式MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | STB9NB50 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
1
62.5
0.5
300
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
8.6
A
E
AS
520
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
500
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
o
C
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125
1
50
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
3
4
5
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.3 A
0.75
0.85
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
8.6
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 4.3 A
4.5
5.7
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
1250
175
20
1625
236
27
pF
pF
pF
STB9NB50
2/8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB9NK60ZD | N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET |
| STB9NK60ZDT4 | N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET |
| STF9NK60ZD | N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET |
| STP9NK60ZD | N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET |
| STB9NK60ZFDT4 | N-CHANNEL 600V-0.85 Ohm-7A TO-220/TO-220FP/D2PAK Fast Diode SuperMESH MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB9NB50T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-263AB |
| STB9NB60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 0.7ohm - 9A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET |
| STB9NB60-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA |
| STB9NB60T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
| STB9NC60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 9A - D2PAK/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。