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參數(shù)資料
| 型號： | STB9NB50 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強模式MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | STB9NB50 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 250 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 400 V
I
D
= 4.3 A
V
GS
= 10 V
19
11
30
15
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 8.6 A
V
GS
= 10 V
32
10.6
13.7
45
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 400 V
A
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 8.6
V
GS
= 10 V
11.5
11
20
17
16
28
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
8.6
34.4
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 8.6 A
V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 8.6 A
V
R
= 100 V
(see test circuit, figure 5)
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
420
3.5
16.5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
STB9NB50
3/8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB9NK60ZD | N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET |
| STB9NK60ZDT4 | N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET |
| STF9NK60ZD | N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET |
| STP9NK60ZD | N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET |
| STB9NK60ZFDT4 | N-CHANNEL 600V-0.85 Ohm-7A TO-220/TO-220FP/D2PAK Fast Diode SuperMESH MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB9NB50T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-263AB |
| STB9NB60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 0.7ohm - 9A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET |
| STB9NB60-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA |
| STB9NB60T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
| STB9NC60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 9A - D2PAK/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET |
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