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參數(shù)資料
| 型號： | STB60N06-14 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | ? -通道增強型功率MOS器件 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | STB60N06-14 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 25 V I
D
= 30 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
V
DD
= 40 V I
D
= 60 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
V
DD
= 40 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
30
180
50
250
ns
ns
A/
μ
s
Turn-on Current Slope
210
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
130
26
55
170
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 40 V I
D
= 60 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
35
135
180
50
190
250
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
60
240
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 60 A V
GS
= 0
I
SD
= 60 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 30 V T
j
= 150
o
C
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
150
0.56
9
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STB60N06-14
3/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB60NE06L-16 | N-Channel 60V-0.014Ω-60A-D2PAK “SINGLE FEATURE SIZETM” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| STB60NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.008 ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET |
| STB60NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STP60NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STP60NF06LFP | N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB60N06-14-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-262AA |
| STB60N06HDT4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| STB60N55F3 | 功能描述:MOSFET STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB60N55F3_09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 55 V, 6.5 mΩ, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET? III Power MOSFET |
| STB60NE03L10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB |
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