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參數(shù)資料
| 型號： | STB5NA50 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式快速功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | STB5NA50 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 250 V
R
G
= 15
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 400 V
R
G
= 15
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 400 V
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V
17
30
25
40
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
450
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
32
7
14
45
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 400 V
R
G
= 15
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
18
12
30
25
18
42
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
5
20
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 5 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.6
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 5 A
V
DD
= 50 V
(see test circuit, figure 5)
380
3.8
20
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimitedby safe operating area
Safe Operating Area
ThermalImpedance
STB5NA50
3/10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB5NA80 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管) |
| STB60N06-14 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STB60NE06L-16 | N-Channel 60V-0.014Ω-60A-D2PAK “SINGLE FEATURE SIZETM” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| STB60NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.008 ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET |
| STB60NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB5NA50-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-262VAR |
| STB5NA50T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB |
| STB5NA80 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STB5NA80-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.7A I(D) | TO-262AA |
| STB5NB60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET |
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